发明名称 用于非常大面积基片的真空处理室
摘要 根据本发明的大尺寸基片PECV0处理的等离子体反应器,包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为RF天线的至少一个内部反应器,所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部,由此加强件支撑反应器顶部和/或反应器底部,加强件经由补偿隔件(4)连接到反应器顶部(2)和/或反应器底部(6),补偿隔件(4)的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。
申请公布号 CN101728206A 申请公布日期 2010.06.09
申请号 CN200910208880.0 申请日期 2005.11.23
申请人 OC欧瑞康巴尔斯公司 发明人 P·埃恩格;L·德劳内伊;S·约斯特;M·埃亚考比
分类号 H01J37/32(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I 主分类号 H01J37/32(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 陈江雄;梁冰
主权项 一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体反应器,包括作为外室的真空处理室(19)和带有处理气体供给部(22)的至少一个内部反应器;以及电连接到作为RF天线的电极喷头(25)的RF供给部(24),其特征在于,加强件(1)支撑反应器顶部(2)和/或反应器底部(6),所述加强件(1)经由补偿隔件(4)连接到反应器顶部(2)和/或反应器底部(6),补偿隔件(4)的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。
地址 列支敦士登巴尔策斯