发明名称 |
用于非常大面积基片的真空处理室 |
摘要 |
根据本发明的大尺寸基片PECV0处理的等离子体反应器,包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为RF天线的至少一个内部反应器,所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部,由此加强件支撑反应器顶部和/或反应器底部,加强件经由补偿隔件(4)连接到反应器顶部(2)和/或反应器底部(6),补偿隔件(4)的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。 |
申请公布号 |
CN101728206A |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200910208880.0 |
申请日期 |
2005.11.23 |
申请人 |
OC欧瑞康巴尔斯公司 |
发明人 |
P·埃恩格;L·德劳内伊;S·约斯特;M·埃亚考比 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;C23C16/44(2006.01)I;C23C16/509(2006.01)I;C23C16/54(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
陈江雄;梁冰 |
主权项 |
一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的等离子体反应器,包括作为外室的真空处理室(19)和带有处理气体供给部(22)的至少一个内部反应器;以及电连接到作为RF天线的电极喷头(25)的RF供给部(24),其特征在于,加强件(1)支撑反应器顶部(2)和/或反应器底部(6),所述加强件(1)经由补偿隔件(4)连接到反应器顶部(2)和/或反应器底部(6),补偿隔件(4)的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。 |
地址 |
列支敦士登巴尔策斯 |