CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明实施例关于一种CMOS图像传感器及其制造方法。该方法包括：制备具有像素区域和外围区域的半导体衬底，其中在所述半导体衬底上形成有栅电极；仅在该像素区域上形成硅化物阻挡层；仅在该外围区域上形成硅化物层；以及去除在该像素区域上形成的硅化物阻挡层。在实施例中，在半导体衬底上形成的氮化物层可以在去除硅化物阻挡层的过程中保护栅极氧化层，以及可以改善CMOS图像传感器的性能。

主权项

1.一种CMOS图像传感器的制造方法，包含下列步骤：制备具有像素区域和外围区域的半导体衬底，其中在所述半导体衬底上形成有栅电极；在该半导体衬底上涂覆栅极氧化层；在该栅极氧化层上沉积氮化物层；在整个区域上形成硅化物阻挡层；蚀刻位于该外围区域上的该硅化物阻挡层，以仅在该像素区域上形成硅化物阻挡层图案；仅在该外围区域上形成硅化物层；以及去除在该像素区域上形成的该硅化物阻挡层图案，其中，该硅化物层通过对金属材料进行溅射和退火而形成，其中，该氮化物层具有至范围的厚度。