可缩放的应变FET器件及其制备方法

摘要

通过利用已知的双应力衬垫效应并使用合适几何形状的压力氮化物以在n-FET沟道内引起压应力，并在p-FET内引起张应力，描述了具有增强性能的CMOS FET器件。应力增强被设计成对PC间距不敏感，并且随多晶硅叠层的高度的减少而增加，以至可缩放性有助于所述的性能改善。n-FET充分使用能够在压力衬垫中获得的较高的应力值，其应力值大于3GPa，而张力衬垫的应力值小于1.5GPa。

主权项

一种半导体器件，包括：在衬底上彼此隔开的至少一个n-沟道场效应晶体管n-FET和至少一个p-沟道场效应晶体管p-FET；以及仅仅覆盖所述至少一个n-FET的栅极的第一电介质应激物帽和仅仅覆盖所述至少一个p-FET的栅极的第二电介质应激物帽，其中所述第一电介质应激物帽是压应力的，而所述第二电介质应激物帽是张力氮化物帽或者是压力氮化物帽或者是包含注入驰豫的压应力氮化物帽，其中所述第一电介质应激物帽和所述第二电介质应激物帽形成于平坦的表面上。