发明名称 |
像素结构与主动元件阵列基板 |
摘要 |
一种像素结构,配置于一基板上,并与一扫描线以及一数据线电性连接,像素结构包括主动元件、下电容电极、绝缘层以及像素电极。主动元件配置于基板上,其中主动元件具有栅极、源极以及漏极,且主动元件与扫描线以及数据线电性连接。下电容电极与栅极彼此分离地配置于基板上。绝缘层覆盖主动元件以及下电容电极,其中绝缘层是由单一膜层所组成。像素电极与主动元件电性连接,且至少部分像素电极延伸至下电容电极上方的绝缘层上。 |
申请公布号 |
CN101271905B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200810097259.7 |
申请日期 |
2008.05.06 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
廖信铭;黄国有;林汉涂 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;G02F1/1362(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
一种像素结构,配置于一基板上,并与一扫描线以及一数据线电性连接,其特征在于,该像素结构包括:一主动元件,配置于该基板上,其中该主动元件具有一栅极、一源极以及一漏极,且该主动元件与该扫描线以及该数据线电性连接;一下电容电极,与该栅极彼此分离地配置于该基板上;一绝缘层,覆盖该主动元件以及该下电容电极,其中该绝缘层是由单一膜层所组成;以及一像素电极,直接配置于该绝缘层上,该像素电极与该主动元件电性连接,且至少部分该像素电极延伸至该下电容电极上方的该绝缘层上,其中该像素电极,该由单一膜层所组成的绝缘层,以及该下电容电极形成一存储电容。 |
地址 |
中国台湾新竹 |