像素结构的制造方法

摘要

本发明涉及一种像素结构的制造方法，包括以下步骤。首先，在基板上依序形成一半导体材料层与一第一导体层。接着，利用一第一光掩模在第一导体层上形成一具有一凹槽的第一图案化光刻胶层。借由第一图案化光刻胶层，形成一半导体层、一漏极与一源极。在移除第一图案化光刻胶层之后，形成一覆盖源极、漏极与半导体层的介电材料层。在介电材料层上形成一第二导体层。之后，利用一第二光掩模在第二导体层上形成一具有一突出部的第二图案化光刻胶层。借由第二图案化光刻胶层，形成一栅极与一介电层。在移除第二图案化光刻胶层之后，形成一连接漏极的像素电极于基板上方。

主权项

一种像素结构的制造方法，其特征在于包括：提供一基板，并该基板上依序形成一半导体材料层以及一第一导体层；利用一第一光掩模在该第一导体层上形成具有一凹槽的一第一图案化光刻胶层，其中该第一光掩模具有一第一完全透光区、一第一部分透光区以及一第一不透光区；以该第一图案化光刻胶层为掩模，移除部分该半导体材料层与部分该第一导体层，以形成一半导体层与一图案化第一导体层；移除该第一图案化光刻胶层的部分厚度，以暴露出部分该图案化第一导体层；以该第一图案化光刻胶层为掩模，移除部分该图案化第一导体层，以形成一漏极与一源极；移除该第一图案化光刻胶层；在该基板上形成一介电材料层，以覆盖该源极、该漏极以及该半导体层；在该介电材料层上形成一第二导体层；利用一第二光掩模在该第二导体层上形成一第二图案化光刻胶层，其中该第二光掩模具有一第二完全透光区、一第二部分透光区以及一第二不透光区，而该第二图案化光刻胶层具有位于该源极与该漏极之间的上方的一突出部，并局部暴露该第二导体层；以该第二图案化光刻胶层为掩模，移除部分该第二导体层与部分该介电材料层，以暴露部分该漏极并形成一图案化第二导体层及一介电层；移除该第二图案化光刻胶层的部分厚度，以覆盖位于该源极与该漏极之间上方的该图案化第二导体层；以该第二图案化光刻胶层为掩模，移除部分该图案化第二导体层，以形成一栅极；移除该第二图案化光刻胶层；以及形成一像素电极于该基板上方，其中该像素电极电性连接该漏极。