一种采用CMOS工艺制作的差分硅光电探测器

摘要

本发明提出一种采用CMOS集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，包括：一个衬底(16)；第一、二、三、四、五、六个阱(10)，所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区(11)，所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正；第七个扩散区(15)，所述第七个扩散区制作在所述六个扩散区和所述六个阱外面；在所述第一个、第三个和第五个扩散区上制作接触孔(14)，通过第一层金属(12)将这三个扩散区连在一起；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上覆盖第一层金属，使这些扩散区不透光；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上制作接触孔，通过第二层金属(13)将这三个扩散区连在一起。

主权项

一种采用CMOS集成电路工艺制作的差分硅光电探测器，其特征在于，包括：一个衬底(16)；第一、二、三、四、五、六个阱(10)，所述阱等间距地制作在所述衬底上；第一、二、三、四、五、六个扩散区(11)，所述六个扩散区分别制作在所述六个阱的正中央；第七个扩散区(15)，所述第七个扩散区制作在所述六个扩散区和所述六个阱外面；在所述第一个、第三个和第五个扩散区上制作接触孔(14)，通过第一层金属(12)将这三个扩散区连在一起；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上覆盖第二层金属，使这些扩散区不透光；在所述第二个、第四个和第六个扩散区上制作接触孔，通过第一层金属(13)将这三个扩散区连在一起。