发光二极管芯片的制造方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片及其制造方法，该发光二极管芯片包括至少第一电极、至少第二电极以及至少一发光层。发光层设置于第一电极与第二电极之间。其中，第一电极透过发光层而与第二电极电性连接，且当施加一电压差于第一电极与第二电极之间时，该发光层产生一光线。本发明的发光二极管芯片及其制造方法，工艺较简单容易。再者，本发明的发光二极管芯片结构可广泛地应用于各波段范围。另外，小面积的单颗发光二极管元件的发光效率高、散热较容易，亦可提升光电转换效率及延长使用寿命。

主权项

一种发光二极管芯片的制造方法，其包括以下步骤：依序形成第一半导体层、发光层及第二半导体层；移除部分该第一半导体层、部分该发光层及部分该第二半导体层以形成至少一沟槽，其中该沟槽暴露部分该第一半导体层；形成至少第一电极于暴露的该第一半导体层；形成绝缘层于该沟槽中；以及形成至少第二电极以覆盖至少部分的该第二半导体层及至少部分的该绝缘层。