| 发明名称 | 一种单分散二硫化钨纳米片的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种单分散二硫化钨纳米片的制备方法，以氧化钨和硫为原料，通过球磨混合活化之后，在保护气氛中在600-700℃下恒温退火30-120min，在恒温退火过程中，预先前置部分硫粉作为补充硫源，补充硫粉与反应混合物的质量比在0.05-10之间，然后在保护气氛中随炉冷却至250℃以下后，即可制得单分散二硫化钨纳米片。本发明通过简单有效的化学合成方法制备了大量的单分散片状二硫化钨纳米材料，方法简单快捷，生产成本低，其能在润滑和催化方面广泛应用。 | ||
| 申请公布号 | CN101723464A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910226642.2 | 申请日期 | 2009.12.11 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 王德志;吴壮志;孙翺魁;汪异 |
| 分类号 | C01G41/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G41/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人 | 邓建辉 |
| 主权项 | 一种单分散二硫化钨纳米片的制备方法，其特征是：以氧化钨和硫为原料，通过球磨混合活化之后，在保护气氛中在600-700℃下恒温退火30-120min，在恒温退火过程中，预先前置部分硫粉作为补充硫源，补充硫粉与反应混合物的质量比在0.05-10之间，然后在保护气氛中随炉冷却至250℃以下后，即可制得单分散二硫化钨纳米片。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市麓山南路1号 | ||