| 发明名称 | 双层、三层掩模CD控制 | ||
| 摘要 | 一种用于控制刻蚀层中的刻蚀特征的CD的方法，该刻蚀层位于功能化的有机掩模层下，该功能化的有机掩模层位于中间掩模层下，该中间掩模层位于图案化的光刻胶掩模下，从而形成堆栈。通过相对于所述图案化的光刻胶掩模选择性地刻蚀该中间掩模层，打开该中间掩模层。打开该功能化的有机掩模层。打开该功能化的有机掩模层包含使含COS的打开气体流入、形成等离子体以及停止该打开气体的流入。刻蚀该刻蚀层。 | ||
| 申请公布号 | CN101726993A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200910211371.3 | 申请日期 | 2009.10.29 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | 发明人 | 格拉尔多·A·德尔加迪奥;罗伯特·C·赫夫蒂 |
| 分类号 | G03F1/14(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | G03F1/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海华晖信康知识产权代理事务所(普通合伙) 31244 | 代理人 | 樊英如 |
| 主权项 | 一种用于控制刻蚀层中的刻蚀特征的关键尺寸(CD)的方法，该刻蚀层位于功能化的有机掩模层下，该功能化的有机掩模层位于中间掩模层下，该中间掩模层位于图案化的光刻胶掩模下，从而形成堆栈，该方法包含：通过相对于所述图案化的光刻胶掩模选择性地刻蚀该中间掩模层，打开该中间掩模层；打开该功能化的有机掩模层，包含：使含COS的打开气体流入；形成等离子体；停止该打开气体的流入；以及刻蚀该刻蚀层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||