电阻式存储器单元和电阻式存储器阵列

摘要

本发明公开了一种位于基底上的电阻式存储器单元和电阻式存储器阵列。所述电阻式存储器单元包括第一栅极、第二栅极、共用掺杂区域、接触窗插塞、位线以及电阻式存储器元件。第一栅极及第二栅极分开配置于所述基底上。第一栅极的第一宽度与第二栅极的第二宽度不同。此外，第一栅极与第二栅极的共用掺杂区域配置于基底中。接触窗插塞电性连接至共用掺杂区域，且位线配置于基底上。此外，电阻式存储器元件连接于接触窗插塞与位线之间。在本发明中，位元密度得以增加。此外，通过控制栅极的宽度，不同数据储存状态的编程电流之间的差异得以增加，且在不受栅极上所施加的栅极电压限制的情况下改变。

主权项

一种位于基底上的电阻式存储器单元，包括：第一金属氧化物半导体场效晶体管及第二金属氧化物半导体场效晶体管，该第一金属氧化物半导体场效晶体管与该第二金属氧化物半导体场效晶体管分别具有配置于该基底上的第一栅极及第二栅极，其中该第一栅极的第一宽度与该第二栅极的第二宽度不同，且该第一金属氧化物半导体场效晶体管及该第二金属氧化物半导体场效晶体管共用共同掺杂区域；接触窗插塞，电性连接至该共同掺杂区域；位线，其配置于所述基底上；以及电阻式存储器元件，连接于该接触窗插塞与该位线。