半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：(a)在半导体衬底上形成缓冲层；(b)在第一方向上图案化缓冲层，以形成具有侧表面并彼此间隔预定间距的缓冲层图案；(c)在缓冲层图案之上和之间形成半导体外延层；(d)在垂直于第一方向的第二方向上在半导体外延层中形成第一沟槽，以暴露缓冲层图案的侧表面；(e)选择性地移除由第一沟槽暴露的缓冲层图案以形成间隙；(f)在通过移除缓冲层图案而形成的所述间隙中形成掩埋绝缘膜，半导体外延层的一部分设置在掩埋绝缘膜之间；(g)移除在掩埋绝缘膜之间设置的所述半导体外延层的一部分，以在第一方向上形成第二沟槽；和(h)在第一和第二沟槽中形成器件隔离膜。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：(a)在半导体衬底上形成缓冲层；(b)在第一方向上图案化所述缓冲层，以形成具有侧表面并且彼此相隔预定间距的缓冲层图案；(c)在所述缓冲层图案之上和之间形成半导体外延层；(d)沿着与所述第一方向交叉的第二方向在所述半导体外延层中形成第一沟槽，以暴露出所述缓冲层图案的侧表面；(e)选择性地移除由所述第一沟槽暴露的所述缓冲层图案以形成间隙；(f)在通过移除所述缓冲层图案而形成的所述间隙中形成掩埋绝缘膜，所述半导体外延层的一部分设置在所述掩埋绝缘膜之间；(g)移除在所述掩埋绝缘膜之间设置的所述半导体外延层的一部分，以在所述第一方向上形成第二沟槽；和(h)在所述第一和第二沟槽中形成器件隔离膜。