叠层型光电动势装置及其制造方法

摘要

本发明涉及一种叠层型光电动势装置，在支承基板上顺次形成有背面金属电极、在光电转换层中使用微晶硅的底部单元、在光电转换层中使用非晶硅的前部单元、和表面透明电极。对前部光电转换层中的杂质浓度和底部光电转换层中的杂质浓度中的至少一方进行控制，使得底部光电转换层中含有的杂质浓度高于前部光电转换层中含有的杂质浓度。杂质不包含p型掺杂或n型掺杂，是碳、氮、氧中的一种、两种或全部。

主权项

一种叠层型光电动势装置，其特征在于：从光入射面侧顺次具备分别包含由本征的半导体构成的光电转换层的多个光电动势元件，距离光入射面最近的一个光电动势元件的光电转换层包含非晶半导体，其它的光电动势元件的光电转换层包含具有晶粒的非单晶半导体，所述其它各光电动势元件的光电转换层含有的杂质的浓度高于所述一个光电动势元件的光电转换层含有的杂质的浓度。