去除光阻残留的清洗方法以及铜制程的双镶嵌工艺

摘要

本发明提供了一种去除光阻残留的清洗方法，包括：提供一半导体器件，其上沉积有用于辅助完成光刻步骤的辅助层，以及辅助层之上的光阻层；第一化学清洗步骤；去离子水冲洗；第二化学清洗步骤；去离子水冲洗；干燥步骤。本发明第一清洗步骤可以去除大部分的光阻和高分子层；紧接着采用去离子水冲洗就可以去除“已经漂起”的光阻表面层，从而避免了该光阻表面层重新黏附在器件表面；再采用第二清洗步骤，去除剩余的所有光阻、少量重新黏附回来的光阻表面层和高分子层；本发明所述清洗流程可以有效的去除光阻残留，杜绝了由于光阻残留造成的阻塞图形、产率下降等问题；并且不会对双镶嵌制程带来任何副作用。

主权项

一种去除光阻残留的清洗方法，其特征在于，包括：提供一半导体器件，其上沉积有介电层、以及沉积于介电层上的用于辅助完成光刻步骤的深紫外线吸收氧化层，以及深紫外线吸收氧化层之上的深紫外线光阻层，所述深紫外线吸收氧化层为硅氧烷聚合物；进行光刻以及刻蚀之后进行光刻以及刻蚀之后进行第一化学清洗步骤，在所述步骤中所述深紫外线吸收氧化层的清洗速率快于所述深紫外线光阻层的清洗速率，使得经历所述清洗操作后，部分其下所述深紫外线吸收氧化层被去除的所述深紫外线光阻层浮起；去离子水冲洗，去除浮起的所述深紫外线光阻层；第二化学清洗步骤，所述第一化学清洗步骤和第二化学清洗步骤中的清洗剂均为CLK888，所述CLK888包括H2O2，环丁砜，TMAH；去离子水冲洗；干燥步骤。