半导体装置及其制造方法

摘要

本发明的目的在于对能够利用无线通信进行信息交换的半导体装置容易附加个体标识符，还在于制造高可靠性半导体装置。本发明的技术要点如下：一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区或漏区的岛状半导体膜、栅绝缘膜、以及栅电极；层间绝缘膜；形成在层间绝缘膜中并包括到达源区及漏区之一方的多个接触孔的第一接触孔；以及到达源区及漏区之另一方的第二接触孔，其中第二接触孔的径大于包括在第一接触孔中的多个接触孔的每一个的径，并且第一接触孔的底面积的合计与第二接触孔的底面积相同。

主权项

一种半导体装置，包括：在衬底上的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括具有沟道形成区域、源区及漏区的岛状半导体膜，其中栅绝缘膜形成为与所述岛状半导体膜相邻，并且栅电极形成为与所述岛状半导体膜相邻；在所述薄膜晶体管上的层间绝缘膜；形成在所述层间绝缘膜中并与所述源区及所述漏区之一方接触的多个第一接触孔；以及形成在所述层间绝缘膜中并与所述源区及所述漏区之另一方接触的第二接触孔，其中，所述第二接触孔的直径大于所述多个第一接触孔的每一个的直径，且所述多个第一接触孔的底面积的合计与所述第二接触孔的底面积相等。