发明名称 |
具有缩减活性面积及接触面积的电阻式随机存取存储单元 |
摘要 |
一种存储器件,有一侧壁绝缘装置,其具有与第一侧壁隔离层厚度相同的侧壁绝缘装置长度;形成自第二侧壁隔离层的第一电极,其具有与第二侧壁隔离层厚度相同的第一电极长度,以及形成自该第二侧壁隔离层的第二电极,其具有与该第二侧壁隔离层厚度相同的第二电极长度,被形成于该侧壁绝缘装置的侧壁上;存储器材料的导桥,其具有导桥宽度,自该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面,横跨该侧壁绝缘装置的上表面,其中该导桥包含存储器材料。 |
申请公布号 |
CN101083298B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200710104548.0 |
申请日期 |
2007.05.25 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
赖二琨;何家骅;谢光宇 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
一种存储器装置,其包含:侧壁绝缘装置,具有由第一侧壁隔离层厚度所决定的侧壁绝缘装置长度;自第二侧壁隔离层形成的第一电极,该第一电极具有由第二侧壁隔离层厚度所决定的第一电极长度;自该第二侧壁隔离层形成的第二电极,该第二电极具有由该第二侧壁隔离层厚度所决定的第二电极长度;以及导桥,该导桥自该第一电极的上表面延伸至该第二电极的上表面,横越该侧壁绝缘装置的上表面,其中该导桥包含存储器材料,其中该侧壁绝缘装置基于该第一电极和该第二电极之间。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |