| 发明名称 | 具有渐变层的非易失性磁存储元件 | ||
| 摘要 | 本发明的一个实施例包括具有多层的非易失性磁存储元件，所述多层中的任一层是渐变的。 | ||
| 申请公布号 | CN101730913A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
| 申请号 | CN200880011839.8 | 申请日期 | 2008.02.11 |
| 申请人 | 亚达夫科技有限公司 | 发明人 | R·Y·兰简;P·克什特波德;R·K·马尔姆霍尔 |
| 分类号 | G11B00/39(2006.01)I | 主分类号 | G11B00/39(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张雪梅;李家麟 |
| 主权项 | 一种非易失性磁存储元件，包括：底部电极；所述底部电极顶部上形成的晶种层；所述晶种层顶部上形成的反铁磁钉扎层；在所述钉扎层顶部上形成的固定层；在所述固定层顶部上形成的隧道层；在所述隧道层顶部上形成的渐变自由层；在所述渐变自由层顶部上形成的帽层；以及在所述帽层顶部上形成的顶部电极，其中通过所述底部电极施加电流以翻转所述存储元件的磁化状态。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||