发明名称 | 多结太阳电池的制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种多结太阳电池的制造方法,太阳电池结构为Si/GaAs/InGaP三层结构,底层电池为Si的PN结电池、中间电池为GaAs的PN结电池、顶层电池为InGaP的PN结电池,各子电池直接生长在硅电池衬底上,该方法具有以下工艺步骤:在磁场下采用化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面,再在高温扩散炉中扩散形成PN结形成底层电池;在制备好PN结的硅片N型面上生长GaAs隧道结;在隧道结上生长GaAs电池;在GaAs电池的N型面上生长GaAs隧道结;在隧道结上生长InGaP电池;在InGaP电池上生长减反射膜;使用丝网印刷形成欧姆接触;获得多结太阳电池。 | ||
申请公布号 | CN101728458A | 申请公布日期 | 2010.06.09 |
申请号 | CN200910221788.8 | 申请日期 | 2009.11.10 |
申请人 | 上海联孚新能源科技有限公司 | 发明人 | 张根发;苏青峰;赖建明;冯世军;杨文平;韩新江 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人 | 王法男;郭桂峰 |
主权项 | 一种多结太阳电池的制造方法,所述太阳电池结构为Si/GaAs/InGaP三层结构,底层电池为Si的PN结电池、中间电池为GaAs的PN结电池、顶层电池为InGaP的PN结电池,各子电池直接生长在硅电池衬底上,其特征在于:该方法具有以下工艺步骤a、在磁场下采用化学腐蚀的方法在单晶硅片表面生长致密均匀的绒面,再在高温扩散炉中扩散形成PN结形成底层电池,刻蚀后再清洗去掉硅片表面的磷硅玻璃;b、在制备好PN结的硅片N型面上使用MBE生长GaAs隧道结;c、在步骤b中所述GaAs隧道结上使用MBE生长GaAs电池;d、在GaAs电池的N型面上使用MBE生长GaAs隧道结;e、在步骤d中所述GaAs隧道结上使用MBE生长InGaP电池;f、在InGaP电池上使用PECVD生长减反射膜;g、使用丝网印刷机在三层电池的硅片P型面制备形成电池的背电极和背电场,经过印刷的背电极和背电场构成底层电极经烧结后形成欧姆接触;h、使用磁控溅射仪在电池的顶层制备顶层电极,在三层电池的减反射膜面溅射金属电极形成欧姆接触;i、获得多结太阳电池。 | ||
地址 | 201201 上海市浦东新区王桥路1003号 |