基于H₂化学过程中的高剂量植入剥离(HDIS)

摘要

使用元素氢、弱氧化剂及含氟气体产生等离子体。在等离子体源下游及在喷淋头上游将惰性气体引入到所述等离子体，所述喷淋头可将气体混合物引导到反应室中，在所述反应室中所述混合物与高剂量植入抗蚀剂反应。所述工艺以高剥离速率移除所述硬壳层与体抗蚀剂层，且以低硅损失使工件表面大致没有残余物。

主权项

一种在反应室中从工件表面移除材料的方法，所述方法包括：将包括元素氢、弱氧化剂及含氟气体的气体引入到等离子体源中；从所述被引入到所述等离子体源中的气体产生等离子体；及在所述等离子体源下游及所述工件上游引入惰性气体，其中所述包括元素氢、所述弱氧化剂及所述含氟气体的气体与所述惰性气体一起流到所述工件并与来自所述工件的所述材料反应。