对虚拟接地存储器的可变编程及编程验证的方法

摘要

本发明披露一种编程以及编程验证一闪速存储器的方法，其可和缓埋藏接触感应操作以及增进可靠度。在本发明的第一目的中，一编程操作方法，其提供不同的编程偏压至不同组的存储单元。此编程偏压可以被施加于漏极偏压或是栅极偏压。此编程偏压根据哪一组存储单元被编程而改变。在一实施例中，一第一漏极偏压Vd1施加至该第一组存储单元M0与Mn。一第二漏极偏压Vd2施加至该第二组存储单元M1与Mn-1，其中该第二漏极偏压Vd2＝Vd1+ΔVd。在本发明的第二目的中，多个编程验证电压被选取用来验证那些通过编程验证电压等级的存储单元。

主权项

一种编程一具有多条位线的虚拟接地存储器的方法，所述存储器的一位线连接到多个存储单元M0至Mn，其中所述存储单元M0位于所述位线的一第一位置，所述存储单元M1位于所述位线的一第二位置，所述存储单元M2位于所述位线的一第三位置，所述存储单元Mn-2位于所述位线的一第四位置，所述存储单元Mn-1位于所述位线的一第五位置，所述存储单元Mn位于所述位线的一第六位置，所述多个存储单元M0至Mn被区分为一第一组存储单元以及一第二组存储单元，所述方法包含下列步骤：通过施加一第一偏压至所述第一组存储单元以编程所述第一组存储单元，所述第一组存储单元包含所述存储单元M0位于所述位线的所述第一位置及所述存储单元Mn位于所述位线的所述第六位置，位于所述第一位置的所述存储单元M0及位于所述第六位置的所述存储单元Mn作为所述位线最靠近接触窗的存储单元；以及通过施加一第二偏压至所述第二组存储单元以编程所述第二组存储单元，所述第二组存储单元包含所述存储单元M1位于所述位线的所述第二位置及所述存储单元Mn-1位于所述位线的所述第五位置，所述存储单元M1及Mn-1远离接触窗；其中所述第二偏压大于所述第一偏压，且所述第二偏压的电压值足以和缓所述位线上的由于负载引起的编程分布。