钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法

摘要

本发明涉及一种采用钨辅助热退火制备氮化镓(GaN)纳米线的方法，其特征在于采用了金属钨(W)作为催化剂。在热退火制备GaN纳米线的过程中，先在GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后在N 2气氛下经热退火后就形成了GaN纳米线。金属钨薄膜的引入，作用是生长GaN纳米线的催化剂，在高温下金属W会发生团聚同时下层的GaN会分解使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从而暴露出部分的GaN膜，同时分生成的金属Ga和N原子在金属W催化剂的作用下又合成细长的GaN纳米线。这种方法简单易行，仅需要沉积或溅射一层薄薄的金属W层，适合于科学实验和批量生产时采用。

主权项

一种采用钨辅助热退火制备GaN纳米线的方法，其制备步骤是：(1)以Al2O3、SiC、Si或者GaAs为衬底，先在衬底上生长一层GaN外延层作为模板；作为模板的GaN外延层厚度为0.1微米～10微米；(2)在步骤(1)生长的GaN外延层的模板上，沉积一层金属W薄层，然后在N2或Ar气体下，于950-1050℃下退火制成GaN纳米线；所述的W薄膜的厚度在3纳米-10纳米之间。