发明名称 |
结晶硅太阳能电池的快速氢钝化的方法 |
摘要 |
本发明涉及结晶硅太阳能电池的快速氢钝化的方法,还涉及一种改善太阳能电池效率的方法,应用于包含单晶硅、多晶硅与多晶硅薄膜的结晶硅太阳能电池。本方法将太阳能电池置于氢气等离子体中,提供预定电压、预定频率与预定时间宽度的负偏压脉冲至太阳能电池。如此等离子体中的氢离子将被吸引而快速注入太阳能电池内部,故可在短时间内实现钝化太阳能电池中的硅结晶缺陷。同时在适当的操作参数下,太阳能电池的抗反射层特性也不会被破坏。实验结果显示,本方法能增加短路电流与开路电压且大幅降低太阳能电池的串联电阻以增加填充因子,整体效率得以提高。 |
申请公布号 |
CN101414648B |
申请公布日期 |
2010.06.09 |
申请号 |
CN200710185081.7 |
申请日期 |
2007.11.08 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
孙文檠;陈建勋;甘炯耀;黄振昌;寇崇善;王志伟;林建佑 |
分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
封新琴 |
主权项 |
一种结晶硅太阳能电池的氢钝化的方法,包括:(a)将结晶硅太阳能电池晶片置入真空腔体中,该结晶硅太阳能电池晶片的表面具有电极及抗反射层;(b)供应氢气流到该真空腔体至预定压力;(c)传送射频或微波功率到该真空腔体内产生氢气等离子体;以及(d)通过一个脉冲产生器提供预定的电压大小、脉冲频率与脉冲时间宽度的负脉冲电压到该结晶硅太阳能电池晶片,并于处理时间注入足量的氢离子到该结晶硅太阳能电池晶片内,其中该负脉冲电压被控制在设定范围内,以免破坏该抗反射层。 |
地址 |
中国台湾新竹县 |