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经营范围
发明名称
METHOD FOR FORMING DUAL POLY GATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号
KR100960923(B1)
申请公布日期
2010.06.04
申请号
KR20060137263
申请日期
2006.12.28
申请人
发明人
分类号
H01L21/8228;H01L21/8238
主分类号
H01L21/8228
代理机构
代理人
主权项
地址
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