发明名称 一种光子晶体微腔结构及其制作方法
摘要 本发明公开了一种光子晶体微腔结构及其制作方法,属于光电子技术领域。本发明的光子晶体微腔结构,包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔;所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物;本发明的方法为:1)在衬底上生长一层半导体薄膜;2)在半导体薄膜上刻蚀光子晶体微腔结构;3)在光子晶体微腔结构上制备一层有机覆盖层;所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的光子晶体微腔制备的光开关具有高Q值、低泵浦功率低功率、开关时间响应快的特点,同时加工和制备方便,非常利于集成。
申请公布号 CN101718939A 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200910235973.2 申请日期 2009.11.03
申请人 北京大学 发明人 富聿岚;胡小永;龚旗煌
分类号 G02F1/35(2006.01)I 主分类号 G02F1/35(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 邵可声
主权项 一种光子晶体微腔结构,包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔;所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学