发明名称 |
一种光子晶体微腔结构及其制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种光子晶体微腔结构及其制作方法,属于光电子技术领域。本发明的光子晶体微腔结构,包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔;所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物;本发明的方法为:1)在衬底上生长一层半导体薄膜;2)在半导体薄膜上刻蚀光子晶体微腔结构;3)在光子晶体微腔结构上制备一层有机覆盖层;所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。与现有技术相比,本发明的光子晶体微腔制备的光开关具有高Q值、低泵浦功率低功率、开关时间响应快的特点,同时加工和制备方便,非常利于集成。 |
申请公布号 |
CN101718939A |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200910235973.2 |
申请日期 |
2009.11.03 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
富聿岚;胡小永;龚旗煌 |
分类号 |
G02F1/35(2006.01)I |
主分类号 |
G02F1/35(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
邵可声 |
主权项 |
一种光子晶体微腔结构,包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔;所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |