在半导体器件中形成MIM的方法和半导体器件

摘要

本发明涉及一种半导体器件，更具体地，涉及一种用于形成金属/绝缘体/金属(MIM)的方法。该方法包括步骤：形成由金属层间介电膜环绕的金属布线；在金属布线上顺序形成多个绝缘膜；以及在绝缘膜上形成金属阻挡膜，通过用作缓冲膜的绝缘膜可以减小膜之间的应力。

主权项

一种在半导体器件中形成MIM的方法，所述方法包括：形成金属布线，所述金属布线被金属层间介电膜围绕；在所述金属布线上形成第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由基于氧化物的材料和未掺杂硅酸盐玻璃的至少其中之一组成，并用作缓冲层；在所述第一绝缘膜上形成第二绝缘膜，所述第二绝缘膜包括氮化硅材料；以及在所述第二绝缘膜上形成金属阻挡膜。