发明名称 具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法
摘要 本发明公开了一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法,步骤如下:a、首先以乙酸铅、四正丁酯锆和钛酸四丁酯为起始原料,乙二醇乙醚为溶剂,乙酰丙酮和甲酰胺为稳定剂,制备化学组成Pb(Zr0.52Ti0.48)TiO3、浓度为0.7~0.8mol/L的锆钛酸铅前驱体溶液;b、将锆钛酸铅前驱体溶液采用旋涂工艺直接沉积在单晶硅基片上,并在热处理炉中依次350℃快速干燥3~5分钟、650℃退火处理3~5分钟,得到单层四方钙钛矿结构的(100)取向锆钛酸铅薄膜;c、重复步骤b操作制备10~30层的(100)取向锆钛酸铅薄膜,得到厚度为1.3~3.9微米的的锆钛酸铅厚膜。
申请公布号 CN101717272A 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200910218944.5 申请日期 2009.11.13
申请人 西安交通大学 发明人 任巍;朱宛琳;辛红;史鹏;吴小清;陈晓峰;姚熹
分类号 C04B41/50(2006.01)I;C04B41/52(2006.01)I 主分类号 C04B41/50(2006.01)I
代理机构 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人 惠文轩
主权项 一种具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:a、首先以乙酸铅、四正丁酯锆和钛酸四丁酯为起始原料,乙二醇乙醚为溶剂,乙酰丙酮和甲酰胺为稳定剂,制备化学组成Pb(Zr0.52Ti0.48)TiO3、浓度为0.7~0.8mol/L的锆钛酸铅前驱体溶液;b、将锆钛酸铅前驱体溶液采用旋涂工艺直接沉积在单晶硅基片上,并在热处理炉中依次350℃快速干燥3~5分钟、650℃退火处理3~5分钟,得到单层四方钙钛矿结构的(100)取向锆钛酸铅薄膜;c、重复步骤b操作制备10~30层的(100)取向锆钛酸铅薄膜,得到厚度为1.3~3.9微米的具有(100)晶粒择优取向的锆钛酸铅厚膜。
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