基片处理的方法和装置

摘要

提供了一种在等离子体处理室中处理等离子体的方法。晶片设置在夹盘的上方并被边缘环包围。该边缘环与夹盘电绝缘。本方法包括向夹盘提供第一RF电力。本方法还包括边缘环RF电压控制装置。边缘环RF电压控制装置与边缘环相耦合以向边缘环提供第二RF电力，从而导致边缘环具有边缘环电压。本方法进一步包括在等离子体处理室内生成等离子体以处理基片。在处理基片时，边缘环RF电压控制装置使边缘环电压基本上与基片的直流电压相等。

主权项

在等离子体处理室中处理基片的方法，所述基片设置在夹盘上方且被边缘环包围，所述边缘环电绝缘于所述夹盘，包括：向所述夹盘提供第一RF电力；提供边缘环RF电压控制装置，所述边缘环RF电压控制装置与所述边缘环相连以向所述边缘环提供第二RF电力，被传送到所述边缘环的所述第二RF电力的频率为大约20KHz到大约10MHz，导致所述边缘环具有边缘环电势；和在所述等离子体处理室生成等离子体以处理所述基片，所述基片被处理的同时，所述边缘环RF电压控制装置被配置为使所述边缘环电势与所述基片的直流电势大体上相等。