发明名称 |
一种离子注入的监控方法 |
摘要 |
本发明提供的离子注入的监控方法,用于防止离子注入时的离子污染和分析污染离子的形成原因。该监控方法包括以下步骤:1.先在离子注入的反应腔内通入测试离子源,并电离测试离子源成若干不同离子;2.采用离子束质谱分析对反应腔内离子进行测试,得出反应腔的离子束质量谱图;3.根据步骤2得出的离子束质量谱图,当谱图中有异常质量峰时,需要去除污染离子后才能进行离子注入,如果没有异常质量峰则可直接进行离子注入。根据离子束质量谱图中的质量峰是否异常来决定是否直接进行离子注入,这样可有效防止离子注入时的污染,同时离子束质量谱图的异常质量峰可帮助分析污染离子形成原因,预防离子注入时发生污染。 |
申请公布号 |
CN101452816B |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200710171570.7 |
申请日期 |
2007.11.30 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
汪军;卢庄鸿;邢桂宁 |
分类号 |
H01L21/00(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01J37/244(2006.01)I;H01J37/317(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种离子注入的监控方法,所述离子注入是在反应腔中利用电离注入离子源产生的离子对晶圆进行离子注入,其特征在于,它包括以下步骤:步骤1:先在离子注入的反应腔内通入测试离子源,并电离测试离子源成不同离子;步骤2:采用离子束质谱分析对反应腔内离子进行测试,得出反应腔内离子的离子束质量谱图;步骤3:根据步骤2得出反应腔内离子的离子束质量谱图,当谱图中有异常质量峰时,去除污染离子后进行离子注入,没有异常质量峰则直接进行离子注入。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |