半导体结构及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。相较于现有技术的薄膜晶体管数组结构，本发明的结构为使用图案化第一金属层作为数据导线，而使用图案化第二金属层作为栅极导线。在薄膜晶体管组件中，栅极亦位于图案化第一金属层内，并通过接触窗与位于图案化第二金属层的栅极导线呈电性相连。源极与漏极是通过接触窗与数据导线呈电性相连，本发明的结构同时提升了储存电容值与开口率。

主权项

一种半导体结构，适用于一平面显示器，其特征在于，包含：一半导体层，设置于一基板上，具有一源极区与一漏极区；一图案化第一介电层，设置于该半导体层上；一图案化第一金属层，设置于该图案化第一介电层上，其特征在于，该图案化第一金属层包含：一栅极电极，部分设置于部分该半导体层上方；以及一数据导线，部分设置于该半导体层上方；一图案化第二介电层，设置于该图案化第一金属层上；以及一图案化第二金属层，设置于该图案化第二介电层上，其特征在于，该图案化第二金属层包含：一栅极导线，部分设置于部分该栅极电极上方且电性连接于该栅极电极；一共享电极，部分设置于部分该数据导线上方；一源极导线，电性连接该半导体层的该源极区及该数据导线；及一漏极导线，电性连接于该半导体层的该漏极区；其中，该图案化第一介电层与该图案化第二介电层中具有一第一接触窗，该源极导线藉由该第一接触窗电性连接该数据导线与该源极区。