| 发明名称 | CMOS图像传感器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，其通过驱动晶体管的栅极中的PN结形成耗尽层，以提高对蓝光的灵敏度。形成在栅极的上部的耗尽层提高了CMOS图像传感器对蓝光的灵敏度。 | ||
| 申请公布号 | CN101136421B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710146866.3 | 申请日期 | 2007.08.24 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 吕寅根 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I;H01L29/808(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L21/337(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;钟强 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器，包括：具有有源区域的导电半导体衬底；形成在所述有源区域上的光电二极管；形成在有源区域上的栅极；以及形成在所述栅极中并与所述光电二极管电连接的耗尽层，所述耗尽层包括：第一导电杂质掺杂层，第二导电杂质掺杂层；以及在第一导电杂质掺杂层和第二导电杂质掺杂层之间的结部分。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||