发明名称 磁控式并联电抗器非线性磁路的等值磁通差暂态建模方法
摘要 本发明提供了一种描述超/特高压磁控式并联电抗器(magnetically controlled shunt reactor,高压磁控式并联电抗器)非线性磁饱和特性的实用化解耦电磁暂态建模方法,以反双曲函数描述非线性磁路特性,提出并利用磁通替代算法,对耦合磁路方程进行解耦,建立等值磁通差电磁暂态建模方法,不仅精确反映了超/特高压磁控式并联电抗器的饱和磁路连续光滑调节特性,避免了分段线性化算法的数值震荡,而且在大范围连续调节情况下,无需修改导纳矩阵,不影响计算速度,能够满足实时/超实时仿真计算的需要。为超/特高压磁控式并联电抗器的实时电磁暂态计算提供了必要的仿真工具,也为非线性元件的实时电磁暂态建模方法开创了新的思路。
申请公布号 CN101719184A 申请公布日期 2010.06.02
申请号 CN200910243082.1 申请日期 2009.12.24
申请人 中国电力科学研究院 发明人 郑伟杰;周孝信
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人 徐国文
主权项 一种磁控式并联电抗器非线性磁路的等值磁通差暂态建模方法,其特征在于该方法以反双曲函数描述非线性磁路特性,并利用磁通替代算法,把非线性磁路和微分电路方程组解耦,对耦合磁路方程进行解耦,从而建立等值磁通差电磁暂态模型。
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