| 发明名称 | 利用选择性生长的可逆电阻切换元件的存储器单元以及形成该存储器单元的方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种形成存储器单元的方法，包括：(1)在衬底上方形成第一导体(206)；(2)利用选择性生长工艺在第一导体上方形成可逆电阻切换元件；(3)在第一导体上方形成二极管(204)；以及(4)在二极管和可逆电阻切换元件上方形成第二导体(208)以获得交叉点存储器件。切换元件也可以通过一个TFT控向。切换元件包含难以刻蚀的材料如TiO2，并且该切换元件不是通过刻蚀该材料形成的，而是通过氧化其它的材料如Ti或者TiN形成的。 | ||
| 申请公布号 | CN101720508A | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200880022667.4 | 申请日期 | 2008.06.27 |
| 申请人 | 桑迪士克3D公司 | 发明人 | A·谢瑞克;S·B·赫纳;M·克拉克 |
| 分类号 | H01L27/102(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;H01L27/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/102(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 一种存储单元，其包括：控向元件；和利用选择性生长工艺形成的与所述控向元件耦连的可逆电阻切换元件。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||