| 发明名称 | 薄膜半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种薄膜半导体器件及其制造方法。所述薄膜半导体器件包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过有源区。在为与栅电极重叠的有源区的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有基本相同晶态的区域横过沟道部分。因为沟道部分的多晶化，以高精度控制了载流子迁移率而且确保了元件特性随时间小的变化和高的载流子迁移率。在该薄膜半导体器件中，元件特性好且元件之间的特性变化小。 | ||
| 申请公布号 | CN101038937B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710086328.X | 申请日期 | 2007.03.13 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 町田晓夫;藤野敏夫;河野正洋 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种薄膜半导体器件，包括：半导体薄膜，设置以具有通过用能量束辐射而被转变为多晶区的有源区；和栅电极，设置以横过所述有源区，其中在所述有源区与所述栅电极重叠的沟道部分中，在沟道长度方向周期地改变晶态，且每个具有相同晶态的区域横过沟道宽度方向；其中横过所述有源区的非晶区和晶区被交替设置，从而所述晶态的变化的每个周期包括所述非晶区和所述晶区，且所述晶区包括沿所述晶区的延伸方向排列的晶粒，每个晶粒具有从新月形分为线对称形状形成的半新月形，并沿所述晶区的延伸方向排列在连续晶界之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||