具有公共位线结构的非易失性存储器件

摘要

本发明提供了一种具有公共位线结构的非易失性存储器件，其包括具有NAND单元阵列结构的多个单位元件，其布置在多个存储串的每个中且每个单位元件包括控制栅极和电荷存储层。多条公共位线每条公共连接到存储串中一对存储串的每个的端部。设置了具有第一驱动电压的第一选择晶体管和与第一选择晶体管串联并具有小于第一驱动电压的第二驱动电压的多个第二选择晶体管。第一和第二选择晶体管布置在公共位线与存储串的单位元件之间。第一串选择线连接到一对存储串的第一存储串的第一和第二选择晶体管之一。第二串选择线连接到一对存储串的第二存储串的第一和第二选择晶体管之一。多条字线连接到具有NAND单元阵列结构且布置在相同行中的单位元件的控制栅极。

主权项

一种具有公共位线结构的非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：多个第一选择晶体管，具有第一驱动电压；多个第二选择晶体管，所述多个第二选择晶体管中的至少两个与所述第一选择晶体管串联连接，所述多个第二选择晶体管中的第二选择晶体管具有第二驱动电压，该第二驱动电压低于所述第一驱动电压；第一存储串，包括所述多个第一选择晶体管中的第一个和所述多个第二选择晶体管中的第一至少两个；第二存储串，包括所述多个第一选择晶体管中的第二个和所述多个第二选择晶体管中的第二至少两个；第一串选择线，连接到所述第一存储串的所述多个第一选择晶体管中的所述第一个或者所述第一存储串的所述多个第二选择晶体管中的所述第一至少两个；第二串选择线，连接到所述第二存储串的所述多个第一选择晶体管中的所述第二个或者所述第二存储串的所述多个第二选择晶体管中的所述第二至少两个；以及公共位线，公共地连接所述第一存储串和所述第二存储串中每个的端部。