半导体器件的金属线及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件的金属线及其制造方法。在一个实施例中，所述金属线包括第一层间介质层图案，其形成在下互连结构上，并具有暴露下互连结构的下互连的通孔；第一阻挡图案，其有选择地覆盖下互连和通孔的侧壁；第二层间介质层图案，其在第一层间介质层图案上，并具有暴露通孔的沟槽；第二阻挡图案，其覆盖沟槽的内壁和第一阻挡图案；种晶图案，其形成在第二阻挡图案上；以及铜线，形成在种晶图案上。

主权项

一种半导体器件的金属互连结构，包括：第一层间介质层图案，其形成在下互连上，并具有暴露所述下互连的通孔；第一阻挡图案，其有选择地设置在所述通孔的一部分上，形成在所述通孔的侧壁上的第一阻挡图案的侧面的高度低于所述通孔的高度；第二层间介质层图案，其在所述第一层间介质层图案上，并具有在所述通孔上方的沟槽；第二阻挡图案，其在所述沟槽和通孔中，所述第二阻挡图案覆盖所述第一阻挡图案；种晶图案，其形成在所述第二阻挡图案上；以及铜线，其形成在所述种晶图案上。