| 发明名称 | 多位相变化存储器阵列及多位相变化存储器 | ||
| 摘要 | 一种多位相变化存储器阵列，该多位相变化存储器阵列包括多个多位相变化存储器，每一多位相变化存储器包括第一位线与第二位线、第一相变化材料层、第二相变化材料层以及开关元件，该第一相变化材料层耦接于该第一位线与该第二位线之间，该第二相变化材料层耦接至源极线，该开关元件通过其源/漏极耦接于该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之间，且其栅极耦接至字线，其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层有不同的非晶化态电阻值，以及不同的非晶化态电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101359676B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710143770.1 | 申请日期 | 2007.08.02 |
| 申请人 | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 黄振明 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种多位相变化存储器阵列，包括：多个多位相变化存储器，每一多位相变化存储器包括：第一位线与第二位线；第一相变化材料层，耦接于该第一位线与该第二位线之间；第二相变化材料层，耦接至源极线；以及开关元件，通过其源/漏极耦接于该第一相变化材料层与该第二相变化材料层之间，其栅极耦接至字线，其中该第二位线耦接于该第一相变化材料层与该开关元件之间；其中，该第一相变化材料层与该第二相变化材料层有不同的非晶化态电阻值，以及不同的非晶化态电流，其中，该第一相变化材料层的非晶化由该第一位线控制，而该第二相变化材料层的非晶化由该第一位线或该第二位线控制。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||