用于在等离子体刻蚀室中刻蚀晶片的方法

摘要

提供了一种用于在宽范围内控制偏压和用于对双射频电流进行去耦以允许独立地控制用于处理基板的等离子体的等离子体密度和离子能量的方法和设备。示例性的设备提供了等离子体处理室，该等离子体处理室包括被配置得保持一基板的底部电极和连接于底部电极的第一和第二射频电源。还包括与顶部地线延伸部电隔离的顶部电极。包括限定一组滤波器装置的滤波器阵列。一开关耦合于顶部电极并且该开关被配置得将顶部电极互连到一个滤波器装置。滤波器装置被配置得允许或禁止由第一和第二射频电源的一个或两个所产生的射频电流流过顶部电极。

主权项

一种用于在等离子体刻蚀室中刻蚀晶片的方法，其包括：提供刻蚀系统，该刻蚀系统具有可选择的操作模式以处理基板；选择刻蚀配方，该刻蚀配方被配置得设置刻蚀系统中的刻蚀环境；选择一个操作模式，以在基板处建立所选定的偏压；和进行刻蚀，所述刻蚀在所设的刻蚀环境和所选的偏压下发生，其中选择一个操作模式以在基板处建立所选定的偏压还包括：提供用于流过刻蚀环境的高频射频电流和低频射频电流的第一和第二返回路径；阻止高频射频电流和低频射频电流中的一个流过第一返回路径。