| 发明名称 | 用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路 | ||
| 摘要 | 一种用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路，其特征是：由三组ZnO非线性电阻(1、4、7)分别与三组SiC与ZnO非线性电阻(2、3)、(5、6)、(8、9)相并联后的电路相串联，组成星形连接，其连接节点为中性点，在中性点(12)与地(13)之间并接SiC与ZnO非线性电阻(10、11)的并联组件。采用本实用新型做成的消弧、消谐及过电压保护接地装置，可替代用有色金属绕制的电感型消弧线圈，不仅成本低、体积小、重量轻、而且对消除铁磁谐振及抑制浪涌电流具有良好的阻尼及消弧作用，可将非直接接地系统电网的相对地及相与相的之间的过电压，有效限制在较低的电压水平。 | ||
| 申请公布号 | CN201498988U | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200920228741.X | 申请日期 | 2009.10.10 |
| 申请人 | 朱仲彦 | 发明人 | 朱仲彦 |
| 分类号 | H02H9/08(2006.01)I;H02H9/06(2006.01)I;H02H7/06(2006.01)I | 主分类号 | H02H9/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 武汉楚天专利事务所 42113 | 代理人 | 雷速 |
| 主权项 | 一种用于消弧、消谐及过电压保护的ZnO与SiC复合电路，其特征是：由三组ZnO非线性电阻(1、4、7)分别与三组SiC与ZnO非线性电阻(2、3)、(5、6)、(8、9)相并联后的电路相串联，组成星形连接，其连接节点为中性点，在中性点(12)与地(13)之间并接SiC与ZnO非线性电阻(10、11)的并联组件。 | ||
| 地址 | 430010 湖北省武汉市江岸区九万方长科院宿舍3-204室 | ||