| 发明名称 | 光记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种光记录介质(1)，包括顺序形成在基板(2)的主侧上的反射层(3)、下介电层(4)、记录层(5)、上介电层(6)和透光层(7)。下介电层(4)由第一下介电层和防止第一下介电层的材料与反射层(3)的材料之间的反应的第二下介电层构成。上介电层(6)由第一上介电层和防止第一上介电层的材料与透光层(7)的材料之间的反应的第二上介电层构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101101773B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710128370.3 | 申请日期 | 2004.01.22 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 安孙子透;池田悦郎;古市信明;高瀬史则 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01)I;G11B7/241(2006.01)I;G11B7/256(2006.01)I;G11B7/257(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 马高平;彭久云 |
| 主权项 | 一种光记录介质，至少包括顺序层叠在基板一主面上的反射层、下介电层、记录层、上介电层和透光层，其中波长在大于等于400nm且小于等于410nm范围中的光通过具有范围在大于等于0.84且小于等于0.86的数值孔径的光学系统会聚，接着由透光层一侧向记录层上照射，并由此记录和复制信息信号，其中，下介电层包括第一下介电层和抑制构成第一下介电层的材料与构成反射层的材料反应的第二下介电层；以及上介电层包括第一上介电层和抑制构成第一上介电层的材料与构成透光层的材料反应的第二上介电层，其中第一上介电层的厚度为大于等于4nm且小于等于12nm。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||