发明名称 | 半导体发光元件 | ||
摘要 | 在半导体多层膜的与其主表面相对的表面中形成突起/凹陷,该突起/凹陷形成二维周期性结构,而在另一表面上形成具有高反射率的金属电极。通过使用二维周期性结构的衍射效应,能改进从形成有突起/凹陷的表面的光引出效率。通过利用具有高反射率的金属电极把向金属电极发射的光反射到形成有突起/凹陷的表面,能倍增由二维周期性结构实现的以上效果。 | ||
申请公布号 | CN101271953B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
申请号 | CN200810096084.8 | 申请日期 | 2005.06.24 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 折田贤儿 |
分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 王茂华 |
主权项 | 一种半导体发光元件,包括:基片,它发射光;第一半导体层,通过晶体生长形成在该基片的主表面上,并且具有形成有二维周期性结构的主表面;第一传导型的第二半导体层,提供在该第一半导体层的主表面上;活性层,提供在该第二半导体层的主表面上,由半导体制成,并且产生光;以及第二传导型的第三半导体层,提供在该活性层的主表面上,该半导体发光元件从该基片的后表面输出在该活性层中产生的光,其中,当该二维周期性结构的周期是Λ,在该活性层中产生的光的峰值波长是λ,并且该第一半导体层的折射率是N时,满足0.5λ/N<Λ<20λ/N。 | ||
地址 | 日本大阪府 |