| 发明名称 | 基板处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种基板处理方法，该方法在溶解抗蚀剂图形、形成所希望的图形的回流处理中，能够防止发生断线等不良问题，对于希望遮掩的规定区域能够有效地形成具有充分的均匀性的图形。其包括从具有厚膜部和薄膜部的抗蚀剂图形(206)，利用再显影处理除去薄膜部的步骤；和溶解由上述再显影处理在基底膜(205)上形成的抗蚀剂(206)，使之通过形成在基底膜(205)的边缘部上的台阶部(205a)，遮掩规定区域(Tg)的步骤，在遮蔽规定区域(Tg)的步骤中，在基底膜(205)上，在第一溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)，在所溶解的光致抗蚀剂到达台阶部(205a)后，在溶解速度比第一溶解速度模式慢的第二溶解速度模式下，溶解上述光致抗蚀剂(206)。 | ||
| 申请公布号 | CN101030044B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200710086123.1 | 申请日期 | 2007.03.02 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 麻生丰;白石雅敏 |
| 分类号 | G03F7/26(2006.01)I;G03F7/30(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种基板处理方法，其溶解光致抗蚀剂图形，形成新的光致抗蚀剂图形，其特征在于，包括：利用再显影处理，从作为基底膜的蚀刻掩模而使用的、利用部分曝光至少具有厚膜部和薄膜部的光致抗蚀剂图形中，除去所述薄膜部的步骤；和溶解由所述再显影处理在所述基底膜上形成的光致抗蚀剂图形，使之通过在基底膜边缘部形成的台阶部，遮掩该基底膜下层的规定区域的步骤，其中，在遮掩所述规定区域的步骤中，在所述基底膜上，在第一溶解速度模式下溶解所述光致抗蚀剂，在所溶解的光致抗蚀剂到达所述台阶部后，在溶解速度比所述第一溶解速度模式慢的第二溶解速度模式下，溶解所述光致抗蚀剂。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||