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一种制造动态随机存取存储器的方法，所述动态随机存取存储器具有存储单元阵列区域和沿存储单元阵列区域周围布置的外围电路区域，所述方法至少包括以下步骤：步骤(1)，在存储单元阵列区域中形成多个第一场效应晶体管，在外围电路区域中形成多个第二场效应晶体管；步骤(2)，在整个表面上形成第一内层绝缘层，以覆盖所述多个第一场效应晶体管和所述多个第二场效应晶体管，磨平第一内层绝缘层的表面；步骤(3)，在第一内层绝缘层中形成多个单元接触器，每个单元接触器电连接到第一场效应晶体管中相关的一个；步骤(4)，在多个单元接触器和第一内层绝缘层上形成第二内层绝缘层；步骤(5)，在外围电路区域中形成穿过第二内层绝缘层和第一内层绝缘层的多个位接触器，每个位接触器电连接到每个第二场效应晶体管的相关栅极；步骤(6)，在位接触器上形成位线；步骤(7)，在整个表面上形成第三内层绝缘层以覆盖位线，并磨平第三内层绝缘层的表面；步骤(8)，在存储单元阵列区域形成穿过第三内层绝缘层和第二内层绝缘层的多个电容接触器，每个电容接触器电连接到相应的单元接触器；步骤(9)，在多个电容接触器和第三内层绝缘层上形成氮化硅膜；步骤(10)，去除整个表面上的5％到90％的的氮化硅膜，保留存储单元阵列区域的一部分和外围电路区域中将要形成通孔的一部分上的氮化硅膜；步骤(11)，在整个表面上形成第四层间绝缘层，以覆盖氮化硅膜和已去除了氮化硅膜的部分；步骤(12)，形成穿过第四内层绝缘层的多个圆柱洞，以暴露多个电容接触器上的氮化硅膜；步骤(13)，通过去除在圆柱洞底部暴露的氮化硅膜来暴露多个电容接触器的表面；步骤(14)，在圆柱洞内形成多个电容器，每个电容器包括电连接到相关的一个电容接触器的下电极、形成在下电极上的电介质膜，以及形成在电介质膜上的上电极；步骤(15)，在多个电容器和第四层间绝缘层上形成第五层间绝缘层；步骤(16)，形成连接到位线的通孔，所述通孔穿过第五层间绝缘层、第四层间绝缘层、氮化硅膜和第三层间绝缘层；以及步骤(17)，在步骤(10)之后，在含有氢气的环境中处理衬底。 |
