发明名称 | 具有刷新所存储数据的功能的半导体存储器件 | ||
摘要 | 本发明提供了一种在驱动移位寄存器的控制信号时具有低功耗的半导体存储器件。该器件包含多个存储单元阵列,每一个都由预定数量行的存储单元组成。每个单元阵列都耦合一组移位寄存器,第n组移位寄存器根据给出的控制信号依次激活字线选择信号,从而刷新第n单元阵列的对应字线。每个单元阵列上还耦合了一个移位寄存器控制器。在第n单元阵列被刷新时,第n移位寄存器控制器向第n组移位寄存器提供控制信号。当对这个单元阵列的刷新完成时,第n移位寄存器控制器将控制信号转发到第(n+1)组移位寄存器,从而启动对第(n+1)组单元阵列的刷新操作。 | ||
申请公布号 | CN1530962B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
申请号 | CN200410029435.5 | 申请日期 | 2004.03.17 |
申请人 | 富士通微电子株式会社 | 发明人 | 森郁;森胜宏;山田伸一;川畑邦范;伊藤成真 |
分类号 | G11C11/406(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/406(2006.01)I |
代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 赵淑萍 |
主权项 | 一种具有刷新所存储数据的功能的半导体存储器件,包括:多个单元阵列,每一个都由预定数量行的存储单元组成;多组移位寄存器,第n组移位寄存器根据给出的控制信号依次激活字线选择信号,从而刷新第n单元阵列的对应字线;和多个移位寄存器控制器,在第n单元阵列被刷新时,第n移位寄存器控制器向第n组移位寄存器提供所述控制信号,当对第n单元阵列的所述刷新完成时,第n移位寄存器控制器将所述控制信号转发到第n+1组移位寄存器。 | ||
地址 | 日本东京都 |