高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法

摘要

本发明公开了一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，它可以保证有源区和沟道的导通，从而保证了整个非对称高压横向结构扩散型场效应管的有效性。它包括如下步骤：第一步，多晶硅刻蚀；第二步，N型低掺杂源漏注入；第三步，P型低掺杂源漏光罩及P型低掺杂源漏注入；第四步，P型低掺杂源漏光刻胶去除；第五步，侧墙生长及刻蚀；第六步，N型或P型源漏注入；第七步，自对准硅化物阻挡层生长；第八步，自对准硅化物阻挡层光罩及刻蚀；第九步，自对准硅化物阻挡层光刻胶去除。

主权项

一种高压非对称横向结构扩散型场效应管的制作方法，提供了高压非对称横向结构扩散型N型场效应管或高压非对称横向结构扩散型P型场效应管的制作，在进行多晶硅刻蚀之后，其特征在于，它还包括如下步骤：第一步，在高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域或高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行N型低掺杂源漏注入，形成N型低掺杂源漏注入区；第二步，采用P型低掺杂源漏光罩光刻使光刻胶覆盖住所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域，对所述高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型低掺杂源漏注入，形成P型低掺杂源漏注入区；第三步，步骤二中所述光刻胶去除；第四步，在所述多晶硅两侧形成侧墙；第五步，在所述高压非对称横向结构扩散型N型场效应管区域进行N型源漏注入，形成N型源漏区；而在高压非对称横向结构扩散型P型场效应管区域进行P型源漏注入，形成P型源漏区。