高编程速度的多阶单元存储器

摘要

本发明提供了一种用以编程快闪式多阶存储单元存储器的方法与装置。该方法包括载入数据至静态随机存取存储器中。该方法包括从静态随机存取存储器中的数据中读取多个多位字，并且载入该字到电源控制电路的至少一个锁存器缓冲器。该方法还包含将该锁存器缓冲器中的一个字的一个或多个位与该锁存器缓冲器中另一个字的一个或多位配对，并且确定哪一个位对需要被编程。此外，该方法还包括以并行方式编程所选定位对的存储器单元。该方法还可以包括通过施加一个电压至与所选定位对相对应的存储器单元的晶体管的漏极侧，来编程每一个多阶存储器单元。

主权项

一种用于并行编程快闪多阶存储单元存储器的方法，所述方法包括：载入数据至暂存存储器；从所述暂存存储器中的所述数据中读取多个多位字；将所述多个字载入到至少一个锁存器缓冲器中；将从所述至少一个锁存器缓冲器中所述多个字之一而来的一个或多个位，与从所述至少一个锁存器缓冲器中所述多个字中另一个而来的一个或多个位进行配对；在所述配对形成的位对中，决定哪些位对需要被编程；以及以并行方式将所决定的位对编程至所述存储单元。