发明名称 | 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法 | ||
摘要 | 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法,属于光电信息功能材料领域。本方法以Zn粉和Al粉为蒸发源,相邻放置在三氧化二铝舟中,清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方,距离源的垂直距离为1~2mm,然后将舟放入水平管式炉中;将管式炉升温至800℃~850℃,保温45~60min,在整个生长过程中,炉腔内始终充入40~50ml/min的氩气,生长结束后管式炉自然冷却到室温,取出硅片,在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。本方法无需真空设备,只需在常压条件下就可以合成出直径为40~370nm,长达30~150μm的Al掺杂ZnO纳米线,而且合成温度低,从而大大降低了生产成本。 | ||
申请公布号 | CN101372356B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
申请号 | CN200810224592.X | 申请日期 | 2008.10.21 |
申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 常永勤;郑超;崔兴达 |
分类号 | C01G9/02(2006.01)I | 主分类号 | C01G9/02(2006.01)I |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | 一种铝掺杂氧化锌纳米线的制备方法,采用硅片作为接收衬底,将硅片分别在酒精和丙酮中进行清洗,其特征在于,以Zn粉和Al粉为蒸发源,相邻放置在三氧化二铝舟中,清洗后的硅片放置在蒸发源的正上方,距离源的垂直距离为1~2mm,然后将舟放入水平管式炉中;将管式炉升温至800℃~850℃,保温45~60min,在整个生长过程中,炉腔内始终充入40~50ml/min的氩气,生长结束后管式炉自然冷却到室温,取出硅片,在硅片表面沉积有Al掺杂ZnO纳米线。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区学院路30号 |