发明名称 |
高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器 |
摘要 |
高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器自上至下分别为正面金属贴片(3)、上层介质基片(1)、中间金属层(4)、下层介质基片(2)、底层金属层(5);是一种用来解决微波毫米波滤波器的集成问题的高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器,它相对于原有的半模基片集成波导滤波器体积更小,这种滤波器具有易于集成、损耗低、结构简单的特点,适合于微波毫米波集成电路的设计;这种折叠半模基片集成波导与微带结构相比较具有较高的Q值,较低的损耗。 |
申请公布号 |
CN201498573U |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200920044049.1 |
申请日期 |
2009.06.10 |
申请人 |
东南大学 |
发明人 |
翟国华;洪伟;吴柯 |
分类号 |
H01P1/20(2006.01)I;H01P3/16(2006.01)I;H01P3/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/20(2006.01)I |
代理机构 |
南京经纬专利商标代理有限公司 32200 |
代理人 |
叶连生 |
主权项 |
一种高Q值低损耗半模基片集成波导滤波器,其特征在于该滤波器为多层结构,自上至下分别为正面金属贴片(3)、上层介质基片(1)、中间金属层(4)、下层介质基片(2)、底层金属层(5);在半模基片集成波导滤波器的两端分别设有输入端(8)和输出端(9),在半模基片集成波导滤波器的上层介质基片(1)和下层介质基片(2)的一侧设有一排第一金属化通孔(7)构成半模基片集成波导滤波器的侧壁,并连接正面金属贴片(3)、中间金属层(4)和底层金属层(5);在下层介质基片(2)的另一侧有另一排第二金属化孔(6)连接中间金属层(4)和底层金属层(5)构成半模基片集成波导滤波器的H面金属壁;在半模基片集成波导滤波器正面金属贴片(3)或中间金属层(4)上设有槽缝(10)。 |
地址 |
211109 江苏省南京市江宁开发区东南大学路2号 |