发明名称 |
在制造存储单元时产生微孔开口的方法 |
摘要 |
本发明公开一种在制造存储单元时生成微孔开口的方法。在基底层上形成上层,此基底层包括底电极。此上层包括此基底层上的第二层、以及此第二层上的第一层。微孔开口穿透此上层以暴露此下电极的表面、并生成第一存储单元子组件。此微孔开口包括第一上开口部分,其形成于此第一层之中、以及第二开口部分,其形成于此第二层之中,此第一与第二开口部分分别具有第一与第二宽度。此第一层具有凸悬部分延伸进入此开口,使得此第一宽度小于此第二宽度。 |
申请公布号 |
CN101197422B |
申请公布日期 |
2010.06.02 |
申请号 |
CN200710196460.6 |
申请日期 |
2007.12.05 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
龙翔澜 |
分类号 |
H01L45/00(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L45/00(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
一种在制造存储单元时生成微孔开口的方法,包括:形成基底层,其包括下电极;在所述基底层上形成上层,所述上层形成步骤包括在所述基底层上形成第二层、以及在所述第二层上形成第一层;以及形成微孔开口穿透所述上层以暴露所述下电极的表面、并生成第一存储单元子组件,所述微孔开口包括形成于所述第一层中的第一上开口部分、以及形成于所述第二层中的第二开口部分,所述第一与第二开口部分分别具有第一与第二宽度,所述第一层具有凸悬部分延伸进入所述第一微孔开口,使得所述第一宽度小于所述第二宽度。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |