| 发明名称 | 氮化硅膜的干刻蚀方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，包括以下工序：准备在基板上层叠有氮化硅膜的被加工物；将被加工物搬入到高频电极及对置电极被平行配置的平行平板型的干刻蚀装置内，将所述被加工物的基板载置在所述高频电极上；将所述干刻蚀装置减压，向所述干刻蚀装置内导入氟气及氧气；对所述高频电极施加高频，从而刻蚀所述氮化硅膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101315891B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200810099859.7 | 申请日期 | 2008.05.30 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 登坂久雄 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/311(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈建全 |
| 主权项 | 一种氮化硅膜的干刻蚀方法，其特征在于，通过采用含有惰性气体、氟气及氧气的混合气体的反应性离子刻蚀来对形成在非晶硅膜上的氮化硅膜进行干刻蚀，其中所述惰性气体是氮、氦或氖中的任一种。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||