半导体装置

摘要

本发明公开了一种半导体装置，虽然是叠式的但甚至在达到必要的尺寸实现精细化时仍具有允许的漏泄电流。该半导体装置包括电容器部(102)，该电容器部(102)包括设置在位于衬底(100)上的杂质层(117)上的SiO2层(119)上的下部电极(111)、设置在下部电极(111)上的铁电层(109)；以及设置在铁电层(109)上的上部电极(107)。该半导体装置还包括：SiO2层(118)，使上部电极(107)和布线(105)电气绝缘；接触孔(103a)，形成W塞(113)，用于在杂质层(117)和下部电极(111)之间电连接；以及接触孔(103b)，用于在上部电极(107)和布线(105)之间电连接。在电容器部(102)的平面图中，接触孔(103a)和接触孔(103b)位于相互偏离的位置上。

主权项

一种半导体装置，其特征在于包括：基板，其上设置有包括杂质层的局部导电层；第一绝缘膜，其形成在所述局部导电层的上面；第一接触孔，其形成在所述第一绝缘膜中，埋入有导电部件；叠式铁电体电容器，其形成在所述第一接触孔的上面，包括设置于所述第一绝缘膜上的第一电极、设置于所述第一电极上的蓄电部件、以及设置于所述蓄电部件上的第二电极；第二绝缘膜，其形成在所述铁电体电容器的上面，将所述铁电体电容器的所述第二电极与布线部件进行电气绝缘；以及第二接触孔，其形成在所述第二绝缘膜中，电气连接所述第二电极以及所述布线部件，其中，所述导电部件电气连接所述第一绝缘膜下面的导电层和所述第一绝缘膜上面的第一电极，从所述铁电体电容器的平面图看，所述铁电体电容器为长方形，所述铁电体电容器包括将所述长方形沿着短边分割成两个而成的一个区域和另一个区域，从所述铁电体电容器的平面图看，所述第一接触孔形成在所述一个区域中，从所述铁电体电容器的平面图看，所述第二接触孔形成在所述另一个区域中，从所述铁电体电容器的平面图看，所述第一接触孔和所述第二接触孔靠近所述一个区域和所述另一个区域之间的边界而形成。