| 发明名称 | 减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管 | ||
| 摘要 | 一种减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型半导体衬底，在N型半导体衬底上面设置有P型阱区，在P型阱区上设置有N型阱区和N型掺杂半导体区，在N型阱区上设有N型源区和P型接触区，在N型掺杂半导体区上设有N型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P型阱区内设有轻掺杂浅N型区，所述的轻掺杂浅N型区位于N型阱区与N型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅N型区覆盖栅氧化层与N型掺杂半导体区形成的拐角。 | ||
| 申请公布号 | CN101510562B | 申请公布日期 | 2010.06.02 |
| 申请号 | CN200910030068.3 | 申请日期 | 2009.03.30 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 孙伟锋;刘斯扬;钱钦松;夏晓娟;陆生礼;时龙兴 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 陆志斌 |
| 主权项 | 一种减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型半导体衬底(9)，在N型半导体衬底(9)上面设置有P型阱区(10)，在P型阱区(10)上设置有N型阱区(8)和N型掺杂半导体区(11)，在N型阱区(8)上设有N型源区(6)和P型接触区(7)，在N型掺杂半导体区(11)上设有N型漏区(12)，在N型阱区(8)的表面设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自N型阱区(8)延伸至P型阱区(10)和N型掺杂半导体区(11)，在N型阱区(8)表面的N型源区(6)、P型接触区(7)和栅氧化层(3)的以外区域及N型掺杂半导体区(11)表面的N型漏区(12)和栅氧化层(3)以外区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的上表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至N型掺杂半导体区(11)的场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、P型接触区(7)、N型源区(6)、多晶硅栅(4)及N型漏区(12)的表面设有氧化层(5)，在N型源区(6)、P型接触区(7)、多晶硅栅(4)和N型漏区(12)上分别连接有金属层(2)，其特征在于在P型阱区(10)内设有轻掺杂浅N型区(13)，所述的轻掺杂浅N型区(13)位于N型阱区(8)与N型掺杂半导体区(11)之间，且轻掺杂浅N型区(13)覆盖栅氧化层(3)与N型掺杂半导体区(11)形成的拐角，轻掺杂浅N型区(13)的深度为N型掺杂半导体区(11)深度的0.4至0.6倍。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 | ||